化學(xué)氣相淀積(cvd) 電鍍 物理氣相淀積(pvd或濺射) 蒸發(fā) 旋涂方法
是冷壁系統(tǒng)
最新試題
化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
光刻工藝的特點包括()。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
新的平坦化方法有哪幾個?()
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。