硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）