問(wèn)答題列舉下一代光刻技術(shù)中4種正在研發(fā)的光刻技術(shù)。
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1.問(wèn)答題光學(xué)光刻技術(shù)的改進(jìn)有哪些方面？
2.問(wèn)答題為什么要進(jìn)行顯影后檢查？
3.問(wèn)答題解釋光刻膠選擇比，要求的比例是高還是低？
4.問(wèn)答題使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成圖形的不透明材料是什么？
5.問(wèn)答題當(dāng)分辨率增加時(shí)焦深會(huì)發(fā)生什么變化？
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題