多項(xiàng)選擇題以下哪些為微處理器IP必須具備的功能（）。

A.Fetch
B.Decode
C.Execute
D.Encode
E.Writeback
F.Compile


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1.多項(xiàng)選擇題以下哪些描述符合通用性設(shè)計(jì)七原則（）。

A.無(wú)論使用者的經(jīng)驗(yàn)、文化水平、語(yǔ)言技能、使用時(shí)的注意力集中程度如何，都能容易地理解設(shè)計(jì)物的使用方式
B.設(shè)計(jì)物對(duì)于不同能力的人們來(lái)說(shuō)都是有用而適合的
C.提供合適的尺度和空間以便于接近、到達(dá)、操控和使用，無(wú)論使用者的生理尺寸、體態(tài)和動(dòng)態(tài)
D.設(shè)計(jì)物應(yīng)該降低由于偶然動(dòng)作和失誤而產(chǎn)生的危害及負(fù)面后果

3.單項(xiàng)選擇題MOSFET的溫度特性體現(xiàn)為：（）。

A.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)升高，閥值電壓升高
B.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降
C.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓升高
D.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降

4.多項(xiàng)選擇題以下哪幾項(xiàng)是集成電路制作工藝的（）。

A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG

5.多項(xiàng)選擇題集成電路進(jìn)入納米尺寸時(shí)代后，將面臨以下主要挑戰(zhàn)：（）。

A.漏電流增大導(dǎo)致總功耗增加
B.柵極氧化膜厚度接近物理極限
C.電路規(guī)模增大導(dǎo)致動(dòng)態(tài)功耗增加
D.配線延遲不能相應(yīng)降低從而影響性能