多項(xiàng)選擇題

關(guān)于CMOS反相器，以下描述中哪些是正確的（）。

A.A
B.B
C.C
D.D


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1.單項(xiàng)選擇題MOSFET的溫度特性體現(xiàn)為：（）。

A.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)升高，閥值電壓升高
B.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降
C.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓升高
D.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降

2.多項(xiàng)選擇題以下哪幾項(xiàng)是集成電路制作工藝的（）。

A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG

3.多項(xiàng)選擇題集成電路進(jìn)入納米尺寸時(shí)代后，將面臨以下主要挑戰(zhàn)：（）。

A.漏電流增大導(dǎo)致總功耗增加
B.柵極氧化膜厚度接近物理極限
C.電路規(guī)模增大導(dǎo)致動(dòng)態(tài)功耗增加
D.配線延遲不能相應(yīng)降低從而影響性能