多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。