A.PWM控制就是對脈沖的幅值進行調(diào)制的技術(shù)，即獲得一系列寬度相等的脈沖
B.PWM控制就是對脈沖的寬度進行調(diào)制的技術(shù)，即通過對一系列脈沖的寬度進行調(diào)制，來等效地獲得所需形狀和幅值的波形
C.PWM控制就是對脈沖的寬度進行調(diào)制的技術(shù)，即獲得一系列寬度相等的脈沖
D.PWM控制就是對脈沖的寬度進行調(diào)制的技術(shù)，即通過對一系列脈沖的寬度進行調(diào)制，來獲得所需形狀的波形

A.型號相同的MOSFET可以并聯(lián)運行，而IGBT不可以并聯(lián)運行
B.型號相同的MOSFET和IGBT都不可以并聯(lián)運行
C.型號相同的MOSFET可以并聯(lián)運行，IGBT在通過電流較大時通態(tài)壓降具有正溫度系數(shù)，也可以并聯(lián)使用
D.型號相同的MOSFET不可以并聯(lián)運行，而IGBT可以并聯(lián)運行

A.晶閘管串聯(lián)使用時，僅需要采取動態(tài)均壓措施即可
B.晶閘管串聯(lián)均壓措施就是選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件即可
C.晶閘管串聯(lián)使用時，需要采取靜態(tài)均壓措施和動態(tài)均壓措施
D.晶閘管串聯(lián)使用時，僅需要采取靜態(tài)均壓措施即可

A.di/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓
B.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小器件的開通損耗
C.關(guān)斷緩沖電路用于抑制器件的電流過沖和di/dt
D.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗

A.需采取措施對電力電子裝置進行過電壓保護
B.電力電子裝置過電壓分為外因過電壓、操作過電壓、雷擊過電壓、換相過電壓、關(guān)斷過電壓5類
C.雷擊過電壓是由電力電子裝置外部產(chǎn)生的，不需要采取措施進行保護
D.電力電子裝置過電壓分為操作過電壓、雷擊過電壓、換相過電壓、關(guān)斷過電壓4類

A.相控驅(qū)動電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小可以確定控制相位
B.相控驅(qū)動電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小基本可以確定控制相位
C.相控驅(qū)動電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號頻率與主電路電源的頻率相同，兩者相位關(guān)系則隨外加控制信號的變化而變化
D.相控驅(qū)動電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號頻率與主電路電源的頻率相同且相位關(guān)系確定

A.觸發(fā)脈沖瞬時功率不得大于平均功率定額
B.觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度，觸發(fā)脈沖寬度無要求
C.脈沖寬度應(yīng)使晶閘管可靠導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的寬度與幅度
D.觸發(fā)脈沖寬度無要求，觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度

A.電力電子器件驅(qū)動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用絕緣材料隔離
B.電力電子器件驅(qū)動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用磁隔離
C.電力電子器件驅(qū)動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離
D.電力電子器件驅(qū)動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離或磁隔離

A.電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型電力電子器件都具有輸入阻抗高的特點
B.電壓驅(qū)動型電力電子器件具有輸入阻抗高的特點
C.流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型電力電子器件輸入阻抗相同
D.電流驅(qū)動型的電力電子器件具有輸入阻抗高的特點

A.相同電壓和電流定額時，IGBT的安全工作區(qū)比GTR窄
B.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)比GTR稍窄
C.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)與GTR一樣
D.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)比GTR寬