A.可以改變相關(guān)的電壓（電流）、頻率和相數(shù)等
B.可以分成直接式和間接式兩種電路
C.既可采用相控式，又可采用斬控式
D.只能降壓，不能升壓
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A.正組整流
B.正組逆變
C.反阻逆變
D.反阻整流
A.晶閘管
B.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管
C.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D.絕緣柵極雙極型晶體管
A.IGBT ，GTO
B.電力MOSFET ，GTR
C.IGBT ，電力MOSFET
D.GTO ，GTR
A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端
A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù)，不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流不利。
A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導(dǎo)通后，門(mén)極一旦無(wú)電流，則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通，門(mén)極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后，門(mén)極一旦加反向電壓，則晶閘管就立即關(guān)斷。
A.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。
A.90o
B.150o
C.180o
D.360o
A.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止逆變時(shí)的輸出電流過(guò)小。
B.限制逆變角的最大值，其目的是為了防止逆變失敗而無(wú)法工作。
C.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止輸出電壓太小而無(wú)法工作。
D.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止逆變失敗。
最新試題
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）
反相比例運(yùn)算電路，平衡電阻的求法：令ui=0，則uo=0，此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值，即為所求平衡電阻值。
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為（）
平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端，靜態(tài)時(shí)外接電阻相等。
9個(gè)JK觸發(fā)器，通過(guò)電路設(shè)計(jì)，可以接成（）進(jìn)制以?xún)?nèi)的，任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。
電壓比較器的功能是，將一個(gè)模擬量輸入電壓，與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較，并將比較的結(jié)果輸出，它廣泛應(yīng)用于（）等方面。
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
交流放大電路接入負(fù)載電阻后，對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無(wú)影響。
4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為（）