單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于交流-交流變換的說(shuō)法中,哪種是不正確的?()

A.可以改變相關(guān)的電壓(電流)、頻率和相數(shù)等
B.可以分成直接式和間接式兩種電路
C.既可采用相控式,又可采用斬控式
D.只能降壓,不能升壓


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2.單項(xiàng)選擇題IGBT是下列哪種電力電子器件的英文縮寫(xiě)?()

A.晶閘管
B.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管
C.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D.絕緣柵極雙極型晶體管

3.單項(xiàng)選擇題以下電力電子器件中既是全控型器件又是電流驅(qū)動(dòng)型的器件是()。

A.IGBT ,GTO
B.電力MOSFET ,GTR
C.IGBT ,電力MOSFET
D.GTO ,GTR

4.單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種()結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。

A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端

5.單項(xiàng)選擇題有關(guān)MOSFET的通態(tài)電阻,表述正確的是()

A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù),不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流不利。

7.單項(xiàng)選擇題晶閘管門(mén)極的控制作用,表述正確的是()

A.晶閘管導(dǎo)通后,門(mén)極一旦無(wú)電流,則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通,門(mén)極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后,門(mén)極一旦加反向電壓,則晶閘管就立即關(guān)斷。

8.單項(xiàng)選擇題GTR典型輸出特性分為()

A.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。

10.單項(xiàng)選擇題關(guān)于逆變角,如下表述正確的是()。

A.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止逆變時(shí)的輸出電流過(guò)小。
B.限制逆變角的最大值,其目的是為了防止逆變失敗而無(wú)法工作。
C.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止輸出電壓太小而無(wú)法工作。
D.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止逆變失敗。

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如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

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3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

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9個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以?xún)?nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

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題型:判斷題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題