問答題GaAs相對Si的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)是什么？
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2.問答題什么是關(guān)鍵尺寸（CD）？
4.單項(xiàng)選擇題
化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：（）。
1.熱生長SiO2只能在Si襯底上生長；
2.CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO2，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO2，溫度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題