進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。