單項(xiàng)選擇題實(shí)現(xiàn)晶體三極管截止的條件是()。

A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏
B.發(fā)射結(jié),集電結(jié)均正偏
C.發(fā)射極,集電結(jié)均反偏
D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏


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1.單項(xiàng)選擇題如果二極管的反向電阻都很小或者為零,則該二極管()。

A.正常
B.短路
C.斷路
D.被擊穿

2.單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體材料中,其說法正確的是()。

A.P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體材料本身不帶電
B.P型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為空穴,所以它帶正電
C.N型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為自由電子,所以它帶負(fù)電
D.N型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為空穴,所以它帶負(fù)電

4.單項(xiàng)選擇題將PN結(jié)兩端加反向電壓時(shí),在PN結(jié)內(nèi)參與導(dǎo)電的是()。

A.空穴
B.自由電子
C.自由電荷
D.空穴和自由電子

最新試題

?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象?()

題型:單項(xiàng)選擇題

?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí),使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=(sel &b)∣(~sel &a),這條語句對應(yīng)的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。

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?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。

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?電路如圖所示,如果電容C2開路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(),漏極交流電壓將會(),增益將會()。

題型:單項(xiàng)選擇題

?CG放大器的性能描述合理的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí),柵極直流電壓將會(),漏極直流電流將會(),輸入電阻將會()。

題型:單項(xiàng)選擇題

以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()

題型:單項(xiàng)選擇題

?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()

題型:單項(xiàng)選擇題