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A.500S
B.50S
C.5S
D.5000S
A.4V
B.5V
C.6V
D.8V
A.不能跳變
B.可以跳變
C.充電時(shí)間按指數(shù)規(guī)律減小
D.充電時(shí)間按正比例規(guī)律增加
最新試題
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí),使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=(sel &b)∣(~sel &a),這條語句對(duì)應(yīng)的是()。
當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()
用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào),輸出信號(hào)為電流信號(hào),則以下描述正確的有()。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有()。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。