單項選擇題降壓斬波電路中，T=40ms，Ton=30ms，占空比k=（）。
A.0.75
B.1.33
C.4
D.0.25
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1.單項選擇題升壓斬波電路中，T=40ms，Ton=30ms，占空比k=（）。
A.0.75
B.1.33
C.4
D.0.25
2.單項選擇題降壓斬波電路中，U=200V，R=10ohm，L足夠大，當要求Uo=40V，占空比k=（）。
A.0.2
B.0.4
C.5
D.0.5
3.單項選擇題PWM控制方式的優(yōu)點的有（）。
A.采用固定的開關頻率
B.濾波電路復雜
C.輸出電壓寬范圍調節(jié)
D.不需要接預負載
4.單項選擇題以下不屬于直流斬波電路的是（）。
A.BOOST變換器
B.BUCK變換器
C.CUK斬波電路
D.整流電路
5.單項選擇題以下全控型電力電子器件中所需驅動電流最小的是（）。
A.GTR
B.IGBT
C.MOSFET
D.晶閘管
6.單項選擇題以下全控型電力電子器件中通過電流最大的是（）。
A.GTR
B.IGBT
C.MOSFET
D.晶閘管
7.單項選擇題以下不是防止MOSFET被靜電擊穿的措施的是（）。
A.將電路存放在靜電包裝袋
B.焊接時電烙鐵應斷電
C.測試儀器必須良好接地
D.用手直接將MOSFET放到測試臺上
8.單項選擇題以下不是引起IGBT的發(fā)生擎住效應的原因是（）。
A.集電極電流過大
B.電壓上升率過大
C.溫度升高
D.電源電壓過低
9.單項選擇題以下不是IGBT的管腳名稱的是（）。
A.集電極
B.發(fā)射極
C.柵極
D.門極
10.單項選擇題以下不是IGBT的工作區(qū)域的是（）。
A.正向阻斷區(qū)
B.有源區(qū)
C.負阻區(qū)
D.飽和區(qū)
最新試題
從000一直到100這五個狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個脈沖它就加一，很顯然它是一個（）加法計數(shù)器。
題型：單項選擇題
3位二進制加法計數(shù)器的，計數(shù)長度為（）
題型：單項選擇題
清零端與脈沖信號的狀態(tài)無關，所以叫做同步清零。
題型：判斷題
二進制計數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：5位二進制計數(shù)器實現(xiàn)（）分頻。
題型：單項選擇題
反相比例運算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：單項選擇題
3進制的加法計數(shù)器，需要（）塊JK觸發(fā)器。
題型：單項選擇題
全加器的輸入信號是（）
題型：多項選擇題
全加器的輸出信號是（）
題型：多項選擇題
如果用預置數(shù)法實現(xiàn)3秒倒計時，74LS192預置數(shù)端輸入應該是（）
題型：單項選擇題
4位二進制加法計數(shù)器的，計數(shù)長度為（）
題型：單項選擇題