集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.02.13)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：

柵長、柵寬、柵指數(shù)

參考答案：

對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域

參考答案：（1）常壓化學(xué)氣相淀積，這種工藝所需的系統(tǒng)簡單，反應(yīng)速度快，并特別適于介質(zhì)淀積，但是它的缺點是均勻性較差，氣體消耗量大，...
參考答案：

雙極型（BJT）集成電路，單極型（MOS）集成電路，Bi-CMOS型集成電路。

參考答案：區(qū)別：手工設(shè)計集成電路或單元中，幾何設(shè)計規(guī)則是圖形編輯的依據(jù)，電學(xué)設(shè)計規(guī)則是分析計算的依據(jù)。VLSI設(shè)計中，幾何設(shè)計規(guī)則...
參考答案：

單位面積芯片上所能容納的器件數(shù)量，每12-18個月翻一番。

參考答案：

刻蝕即光刻腐蝕，就是通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其他方式實現(xiàn)腐蝕以處理掉所需除去的部分。

參考答案：

切片決定了硅片的四個重要參數(shù)：晶向、厚度、斜度、翹度和平行度。