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微電子學(xué)問答題每日一練(2020.03.15)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題光刻技術(shù)中的常見問題有那些？

參考答案：半導(dǎo)體器件和集成電路的制造對光刻質(zhì)量有如下要求：
一是刻蝕的圖形完整，尺寸準(zhǔn)確，邊緣整齊陡直；
二是...

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2.問答題如果熱生長氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少？

參考答案：920A（每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）

3.問答題什么叫“結(jié)尖刺效應(yīng)”，集成電路工藝中如何避免鋁的結(jié)尖刺效應(yīng)？

參考答案：硅可以溶解在鋁中。在源/漏區(qū)，鋁金屬會與硅直接接觸，硅會溶入鋁中，而鋁會擴(kuò)散進(jìn)入硅內(nèi)形成鋁尖凸物。鋁的尖凸物可以穿透摻雜...

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4.問答題簡述影響氧化速率的因素？

參考答案：①氧化方式（干氧、濕氧或水汽氧化、等離子增強(qiáng)氧化）氣氛：摻氯氣氛增加氧化速率。
②氣壓：氧化速率與氧化劑分壓成...

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5.問答題簡述鉭在銅互連工藝中的作用

參考答案：①鉭作為銅淀積前的阻擋層，可以防止銅擴(kuò)散穿過氧化硅進(jìn)入硅襯底損壞元器件。
②鉭與鈦、氮化鈦?zhàn)钃鯇硬牧舷啾?，是?..

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