如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設備構成包括（）。