A.控制電路的接通和斷開，以控制電路的平均輸出功率為目的
B.改變控制周期內(nèi)電路導(dǎo)通周波數(shù)和斷開周波數(shù)的比
C.適用于溫度等大慣性的負(fù)載
D.適用于調(diào)光等應(yīng)用場(chǎng)合
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A.可以改變相關(guān)的電壓（電流）、頻率和相數(shù)等
B.可以分成直接式和間接式兩種電路
C.既可采用相控式，又可采用斬控式
D.只能降壓，不能升壓
A.正組整流
B.正組逆變
C.反阻逆變
D.反阻整流
A.晶閘管
B.門極可關(guān)斷晶閘管
C.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D.絕緣柵極雙極型晶體管
A.IGBT ，GTO
B.電力MOSFET ，GTR
C.IGBT ，電力MOSFET
D.GTO ，GTR
A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端
A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù)，不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流不利。
A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦無電流，則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦加反向電壓，則晶閘管就立即關(guān)斷。
A.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。
A.90o
B.150o
C.180o
D.360o
最新試題
集成運(yùn)放的反相輸入端，當(dāng)輸入信號(hào)（ui1）由此輸入時(shí)，輸出信號(hào)（u0）與輸入ui1同相。
現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼，需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為（）
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載（）
本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。
4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為（）
將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說明，這個(gè)電路具有自起功能。
異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器，而其它各位觸發(fā)器都是，依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖，采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。
碼制即編碼體制，在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。