三級放大電路如圖所示。設(shè)晶體管V1~ V3的β=49,UBE(on)=0.7V,rce=∞,rbb=0,D1和D2的直流壓降為0.7V。已知靜態(tài)IEQ3=3mA。各電容對交流信號可視作短路。
(1)試求各管的靜態(tài)集電極電流ICQ。
(2)計(jì)算電壓放大倍數(shù),輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。
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在對數(shù)字鐘計(jì)時、校時模塊進(jìn)行仿真時,設(shè)秒信號的周期為10ns,若要觀察24時制計(jì)數(shù)是否正確,那么在復(fù)位信號無效,計(jì)時使能信號有效的情況下,仿真需運(yùn)行多長時間?()
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時,溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動。
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時,柵極直流電壓將會(),漏極直流電流將會(),輸入電阻將會()。
以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()
CG放大器因其輸入電阻過小,因此沒什么用處。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)?()