單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗(yàn)飽和系數(shù)試驗(yàn)稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來(lái)進(jìn)行計(jì)算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗(yàn)中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的泛霜試驗(yàn)，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進(jìn)行試驗(yàn)。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的石灰爆裂試驗(yàn)，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進(jìn)行試驗(yàn)。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的凍融試驗(yàn)，一次凍融循環(huán)是指在（）下冰凍：燒結(jié)磚凍3h，非燒結(jié)磚凍5h，然后取出放入（）的水中融化：燒結(jié)磚不少于2h；非燒結(jié)磚不少于3h。
A、-15℃～-20℃10℃～20℃
B、-10℃～-20℃15℃～20℃
C、-15℃～-20℃15℃～20℃
D、-10℃～-20℃10℃～20℃
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用模具制樣法制成的試件連同模具在不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）后脫模，再在相同條件下養(yǎng)護(hù)（），進(jìn)行試驗(yàn)。
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
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可用作硅片的研磨材料是（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
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下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題