單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準規(guī)定尺寸測量的精度要求為（）。
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件制備好后，應在環(huán)境溫度（），相對濕度（）的不通風室內(nèi)靜置7d。
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗飽和系數(shù)試驗稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來進行計算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的泛霜試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題