A、坍落度測量精確至1mm,坍落擴展度測量精確至5mm
B、坍落度測量與坍落擴展度測量均精確至1mm
C、坍落度試驗結(jié)果表達修約至1mm,坍落擴展度試驗結(jié)果表達修約至5mm
D、坍落度與坍落擴展度試驗結(jié)果表達均修約至5mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、坍落度大于220mm的砼拌合物,宜用坍落擴展度法測定其稠度
B、用鋼尺測量砼擴展后最終的最大直徑,作為坍落擴展度值
C、用鋼尺測量砼擴展后最終的最小直徑,作為坍落擴展度值
D、擴展后的最大直徑與最小直徑之差超過50mm時,試驗無效
A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點和最低點之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應(yīng)在150s后測量坍落度值
A.試驗前應(yīng)潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴展
D、A、B、C選項都對
A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
改良西門子法的顯著特點不包括()