A.試驗(yàn)前應(yīng)潤(rùn)濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動(dòng)棒振搗密實(shí)
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
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A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動(dòng)擴(kuò)展
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
A、插搗不均勻
B、提筒時(shí)歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實(shí)因素法
A、流動(dòng)性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時(shí)間
C、碳化深度
D、泌水率
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()