A、由容器和蓋體兩部分組成
B、容器應(yīng)由軟質(zhì)塑料制成，容積為7L
C、蓋體部分包括有氣室、水找平室、加水閥、排水閥、操作閥、進(jìn)氣閥、排氣閥及壓力表
D、壓力表的量程為0～6MPa，精度為1MPa
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A、《普通砼拌合物性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50080-2002標(biāo)準(zhǔn)中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗(yàn)方法
B、《普通砼拌合物性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50080-2002標(biāo)準(zhǔn)中采用的是一種水壓法的含氣量試驗(yàn)方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內(nèi)的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測(cè)定
A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈，在分析天平上稱(chēng)出容量筒質(zhì)量，精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實(shí)時(shí)，若用大于5L的容量筒，每層裝料高度不應(yīng)大于100mm
C、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí)，應(yīng)分二層均勻裝料，第一層料振實(shí)后，再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物，表面如有凹陷應(yīng)補(bǔ)平
A、容量筒
B、稱(chēng)重50kg的臺(tái)秤
C、振動(dòng)臺(tái)或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、稱(chēng)重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、加壓至10s時(shí)的泌水量與加壓至140s時(shí)的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動(dòng)臺(tái)
D、量筒
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
可用作硅片的研磨材料是（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）