A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結果無效。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時,該組試件的試驗結果無效。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術平均值作為該組試件的劈裂抗拉強度值。
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A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗機壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
A、棱柱體劈裂抗拉強度試驗方法
B、立方體劈裂抗拉強度試驗方法
C、圓柱體劈裂抗拉強度試驗方法
D、圓球體劈裂抗拉強度試驗方法
A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗方法
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
可用作硅片的研磨材料是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列是晶體的是()。
硅片拋光在原理上不可分為()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。