A、邊長100mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒0.2～0.5kN
B、邊長100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒0.5～0.8kN
C、邊長100mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒0.8～1.0kN
D、邊長150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒1.8～2.25kN
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A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
A、棱柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓球體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
A、棱柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓球體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。