A、多孔夾片錨具
B、墩頭錨具
C、螺母錨具
D、擠壓錨具
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A、錐形錨具
B、墩頭錨具
C、壓花錨具
D、擠壓錨具
A、施工時(shí)使用錨下控制力
B、錨下控制力比錨外控制力小
C、兩者的差是錨頭損失
D、錨外控制力等于油壓值除預(yù)應(yīng)力筋的面積
A、錨具夾持部分鋼筋孔不直
B、構(gòu)件較短
C、預(yù)應(yīng)力筋的護(hù)套破損
D、錨環(huán)和夾頭硬度不夠
A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術(shù)
D、內(nèi)固定端使用回縮量小的錨具
A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
硅片拋光在原理上不可分為（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；