下列哪個不是單晶常用的晶向（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

下列是晶體的是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）