A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
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A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運輸?shù)忍攸c,具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強度分項系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測的專業(yè)人士進一步開發(fā)改進。
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
PN結(jié)的基本特性是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()