單項選擇題扁頂法實測墻體的受壓彈性模量時，在完成墻體的受壓工作應(yīng)力測試后，當(dāng)選用250³250mm扁頂時，開鑿第二水平槽普通磚砌體兩槽之間的距離應(yīng)相隔（）磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
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1.單項選擇題扁頂法正式測試時，應(yīng)分級加荷，每級荷載應(yīng)為預(yù)估破壞荷載的（）。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
2.單項選擇題扁頂法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
3.單項選擇題扁頂法使用手持應(yīng)變儀測量砌體變形讀數(shù)時，應(yīng)測量（），并應(yīng)取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
4.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中極限壓力應(yīng)為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
5.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題