單項(xiàng)選擇題砂漿片試件的剪切測試，應(yīng)對試件勻速連續(xù)施加荷載，加荷速度不宜大于（），直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
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1.單項(xiàng)選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測強(qiáng)儀上下刀片中心間距為（）。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
2.單項(xiàng)選擇題筒壓法試樣加載時應(yīng)均勻加載至規(guī)定的筒壓荷載值，水泥砂漿，石粉砂漿的筒壓荷載值應(yīng)為（）。
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
3.單項(xiàng)選擇題筒壓法取樣后使用手錘擊碎樣品時，應(yīng)篩取5~15mm的砂漿顆粒約（），烘干后冷卻至室溫備用。
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
4.單項(xiàng)選擇題筒壓法在每一個測區(qū)，應(yīng)從距墻表面（）以里的水平灰縫中鑿取砂漿約4000g。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
5.單項(xiàng)選擇題推出法旋轉(zhuǎn)加荷桿對試件施加荷載時，加荷速度宜控制在（）。
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題