單項選擇題筒壓法在每一個測區(qū)，應從距墻表面（）以里的水平灰縫中鑿取砂漿約4000g。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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1.單項選擇題推出法旋轉加荷桿對試件施加荷載時，加荷速度宜控制在（）。
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
2.單項選擇題切制試件法的測試步驟中，以下哪個不正確（）。
A.試件搬運過程中，應防止碰撞，并應采取減小振動的措施
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿，并應伸進撬棍，應將水平灰縫撬松動，然后應小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
3.單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術指標中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
4.單項選擇題推出法選擇測點時被推丁磚下的水平灰縫厚度應為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
5.單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結普通磚、燒結多孔磚的砌筑砂漿強度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題