A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
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A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
A、一般情況下,用理論方法計算,即計算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實測壓應(yīng)力值
D、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實測破壞荷載值
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測點位置
D、偏心
A、手動油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列是晶體的是()。
PN結(jié)的基本特性是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()