常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）