單項(xiàng)選擇題冷熱加工的區(qū)別在于加工后是否存在（）。
A.加工硬化
B.晶格改變
C.纖維組織
D.以上答案都對(duì)
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1.單項(xiàng)選擇題再結(jié)晶和重結(jié)晶都有晶核的形成和晶核的長(zhǎng)大兩個(gè)過(guò)程，它們的主要區(qū)別在于是否有（）的改變。
A、溫度
B、晶體結(jié)構(gòu)
C、應(yīng)力狀態(tài)
D、以上答案都對(duì)
2.單項(xiàng)選擇題做疲勞試驗(yàn)時(shí)，試樣承受的載荷為（）。
A、靜載荷
B、沖擊載荷
C、交變載荷
D、以上答案都對(duì)
5.填空題20CrMnTi鋼中20表示（）。
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題