GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

猝滅劑

磁滯回線

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

XPS只能檢測(cè)元素種類，無(wú)法標(biāo)定元素含量。

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。