PMOS的基底是p型半導體，所以叫PMOS。

內(nèi)光電效應(yīng)

非本征光電導

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

半導體中的價帶空穴電流其實就是導帶電子電流的一種等價說法。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。