半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。