芯片粘接的工藝過程包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

摻雜后，退火的目的是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。