互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。