問(wèn)答題列出4種曝光技術(shù)，并說(shuō)明那種分辨率最高，說(shuō)明各種曝光技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述顯影工藝的3個(gè)過(guò)程
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻工藝3個(gè)主要過(guò)程
3.問(wèn)答題列出光刻膠的四種成分
4.名詞解釋合金化熱處理
5.名詞解釋RTP
最新試題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題