下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。