如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的特點包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。