CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。