A.隔離型半橋DC-DC變換電路當(dāng)兩個(gè)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間不對(duì)稱(chēng)時(shí)，變壓器一次側(cè)電壓存在直流分量，因此容易發(fā)生變壓器的偏磁和直流磁飽和
B.隔離型半橋DC-DC變換電路，電容對(duì)變壓器一次側(cè)電壓的直流分量有自動(dòng)平衡作用，因此不容易發(fā)生變壓器的偏磁和直流磁飽和
C.隔離型半橋DC-DC變換電路，其開(kāi)關(guān)管的數(shù)量至少大于4個(gè)
D.隔離型半橋DC-DC變換電路，其開(kāi)關(guān)管的數(shù)量至少等于4個(gè)

A.開(kāi)環(huán)控制的反激電路，在負(fù)載為零的極限情況下，輸出電壓與開(kāi)通占空比成正比
B.開(kāi)環(huán)控制的反激電路，在負(fù)載為零的極限情況下，理論上輸出電壓趨向無(wú)窮大，所以應(yīng)避免開(kāi)路
C.開(kāi)環(huán)控制的反激電路，在負(fù)載為零的極限情況下，輸出電壓趨向于某穩(wěn)定值，所以輸出端可以開(kāi)路，即負(fù)載可以為零
D.開(kāi)環(huán)控制的反激電路，輸出電壓趨向無(wú)窮大，所以應(yīng)采用閉環(huán)控制

A.正激電路的開(kāi)關(guān)管S必須一直關(guān)斷
B.正激電路變壓器開(kāi)關(guān)管S開(kāi)通后，變壓器激磁電流增長(zhǎng)；開(kāi)關(guān)管S關(guān)斷后，變壓器的磁芯會(huì)立刻自動(dòng)磁復(fù)位，沒(méi)有必要采取專(zhuān)門(mén)的磁復(fù)位措施或電路
C.正激電路的開(kāi)關(guān)管S必須一直開(kāi)通
D.正激電路變壓器開(kāi)關(guān)管S開(kāi)通后，變壓器激磁電流增長(zhǎng)；開(kāi)關(guān)管S關(guān)斷后，必須設(shè)法使變壓器的磁芯復(fù)位，避免變壓器激磁電感飽和

A.多相多重?cái)夭娐房梢杂啥鄠€(gè)結(jié)構(gòu)不同的基本斬波電路組成。相數(shù)指的是一周期負(fù)載電流脈波數(shù)。重?cái)?shù)指的是一周期電源側(cè)電流脈波數(shù)
B.多相多重?cái)夭娐肥怯啥鄠€(gè)結(jié)構(gòu)不同基本斬波電路組成。相數(shù)指的是基本斬波電路數(shù)量，重?cái)?shù)指的是單相負(fù)載
C.多相多重?cái)夭娐肥怯啥鄠€(gè)結(jié)構(gòu)不同基本斬波電路組成。相數(shù)指的是基本斬波電路數(shù)量，重?cái)?shù)指的是負(fù)載數(shù)量
D.多相多重?cái)夭娐肥怯啥鄠€(gè)結(jié)構(gòu)相同基本斬波電路組成。相數(shù)指的是一周期電源側(cè)電流脈波數(shù)，重?cái)?shù)指的是負(fù)載電流脈波數(shù)

A.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于直流-直流變換的
B.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于交流-直流變換和直流/交流變換的
C.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于交流-交流變換和直流/交流變換的
D.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于直流-直流變換和交流-交流變換的

A.PWM控制就是對(duì)脈沖的幅值進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即獲得一系列寬度相等的脈沖
B.PWM控制就是對(duì)脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即通過(guò)對(duì)一系列脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制，來(lái)等效地獲得所需形狀和幅值的波形
C.PWM控制就是對(duì)脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即獲得一系列寬度相等的脈沖
D.PWM控制就是對(duì)脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即通過(guò)對(duì)一系列脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制，來(lái)獲得所需形狀的波形

A.型號(hào)相同的MOSFET可以并聯(lián)運(yùn)行，而IGBT不可以并聯(lián)運(yùn)行
B.型號(hào)相同的MOSFET和IGBT都不可以并聯(lián)運(yùn)行
C.型號(hào)相同的MOSFET可以并聯(lián)運(yùn)行，IGBT在通過(guò)電流較大時(shí)通態(tài)壓降具有正溫度系數(shù)，也可以并聯(lián)使用
D.型號(hào)相同的MOSFET不可以并聯(lián)運(yùn)行，而IGBT可以并聯(lián)運(yùn)行

A.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，僅需要采取動(dòng)態(tài)均壓措施即可
B.晶閘管串聯(lián)均壓措施就是選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件即可
C.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，需要采取靜態(tài)均壓措施和動(dòng)態(tài)均壓措施
D.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，僅需要采取靜態(tài)均壓措施即可

A.di/dt抑制電路又稱(chēng)為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓
B.du/dt抑制電路又稱(chēng)為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dt，減小器件的開(kāi)通損耗
C.關(guān)斷緩沖電路用于抑制器件的電流過(guò)沖和di/dt
D.du/dt抑制電路又稱(chēng)為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗

A.需采取措施對(duì)電力電子裝置進(jìn)行過(guò)電壓保護(hù)
B.電力電子裝置過(guò)電壓分為外因過(guò)電壓、操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓、換相過(guò)電壓、關(guān)斷過(guò)電壓5類(lèi)
C.雷擊過(guò)電壓是由電力電子裝置外部產(chǎn)生的，不需要采取措施進(jìn)行保護(hù)
D.電力電子裝置過(guò)電壓分為操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓、換相過(guò)電壓、關(guān)斷過(guò)電壓4類(lèi)