A.是一種高速計(jì)算近似值的算法
B.是在實(shí)際可行的時(shí)間內(nèi)計(jì)算布局布線最優(yōu)解的算法
C.是求局部最優(yōu)解的算法
D.為了讓近似值接近最優(yōu)解,有必要改變執(zhí)行條件(初解、控制參數(shù))多次進(jìn)行重新計(jì)算
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.DRC
B.LVS
C.時(shí)序驗(yàn)證
D.信號(hào)完全性
A.clock skew
B.組合電路的最大延遲
C.FF的Setup時(shí)間
D.FF的Hold時(shí)間
A.Distributed BIST
B.Direct Access
C.Test Bus
D.Boundary Scan
A.由于內(nèi)嵌測(cè)試模式發(fā)生器,不需要額外生成測(cè)試模式
B.由于只輸出GO/NOGO,故障分析很困難
C.由于內(nèi)嵌測(cè)試輸出評(píng)估部,不需要高價(jià)測(cè)試設(shè)備,可降低成本
D.不可用于Burn-In測(cè)試
A.禁止使用循環(huán)組合電路
B.FF的時(shí)鐘信號(hào)必須能夠從外部端口直接控制
C.FF的復(fù)位信號(hào)必須能夠從外部端口直接控制
D.掃描測(cè)試時(shí),RAM和內(nèi)核需要分開進(jìn)行設(shè)計(jì)
最新試題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
以下不屬于打碼目的的是()。
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯(cuò)誤的是()。
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說法正確的是()。
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。