微電子學章節(jié)練習(2019.05.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題EDA是計算機輔助測試的英文簡稱。

2.判斷題常用的IC設計方法有全定制設計方法、標準單元設計方法、門陣列設計方法和可編程邏輯電路設計方法等。對于性能要求很高或批量很大的產(chǎn)品，如存儲器、微處理器等，一般采用可編程邏輯電路設計方法。

3.名詞解釋MASK

參考答案：掩模版。在半導體制造中，許多芯片工藝步驟采用光刻技術(shù)，用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜（也稱作...

4.填空題雙極型晶體管其有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和（）型。

5.填空題晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（）偏、集電結(jié)（）偏時的（）電流與（）電流之比。

參考答案：正；零；集電極；發(fā)射極

6.判斷題同種半導體材料在相同溫度下電子的遷移率比空穴的遷移率小。

7.填空題集成電路制造通常包括集成電路設計、工藝加工、（）、封裝等工序。

8.問答題列出并描述I線光刻膠的4種成分。

參考答案：1.樹脂。光刻膠樹脂是一種惰性的聚合物基質(zhì)，用于把光刻膠中的不同材料聚在一起的粘合劑
2.感光劑。是光刻膠材料...

9.問答題列出芯片廠中6個不同的生產(chǎn)區(qū)域并對每一個區(qū)域做簡單的描述。

參考答案：擴散：擴散區(qū)一般認為是進行高溫工藝及薄膜沉積的區(qū)域。
刻：使用黃色瑩光管照明使得光刻區(qū)與芯片廠中的其他各個區(qū)明...

10.問答題摻雜對氧化物生長的影響是什么？

參考答案：重摻雜的硅要比輕摻雜的氧化速率快。