集成電路技術(shù)綜合練習(xí)問(wèn)答題每日一練(2019.01.23)

多晶硅是由多個(gè)單晶單元隨機(jī)堆積形成的，多晶硅沒(méi)有單晶所特有的特征，如各向異性、短程有序等。

光刻和刻蝕

制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對(duì)齊

設(shè)計(jì)規(guī)則由生產(chǎn)廠家提供

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。