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問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。

1.問(wèn)答題簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟。

2.問(wèn)答題在制作晶體管的時(shí)候，襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響是？

電阻率過(guò)大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴(kuò)大飽和壓降，若過(guò)小耐壓低，結(jié)電容增大，且外延時(shí)下推大。

3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管中隱埋層的作用。

減小集電極串聯(lián)電阻，減小寄生PNP管的影響。

4.問(wèn)答題什么是特征尺寸？它對(duì)集成電路工藝有何影響？

5.問(wèn)答題按電路功能或信號(hào)類型分，半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類？

數(shù)字集成電路，模擬集成電路，數(shù)?；旌霞呻娐?。