A、外加劑應(yīng)與水泥具有良好的適應(yīng)性,其種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應(yīng)滿足砼設(shè)計(jì)要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
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A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
C、不得同時(shí)摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時(shí)使用
A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、粒化高爐礦渣粉
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
最新試題
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。