A、砼拌合物應(yīng)在滿(mǎn)足施工要求的前提下,盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強(qiáng)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于500mm
C、自密實(shí)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時(shí)損失不宜大于30mm/h
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A、砼拌合用水必須達(dá)到飲用水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴(yán)禁用于鋼筋砼和預(yù)應(yīng)力砼
D、當(dāng)骨料具有堿活性時(shí),砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
A、pH值
B、水泥凝結(jié)時(shí)間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
A、外加劑應(yīng)與水泥具有良好的適應(yīng)性,其種類(lèi)和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應(yīng)滿(mǎn)足砼設(shè)計(jì)要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類(lèi)和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
C、不得同時(shí)摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時(shí)使用
A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列是晶體的是()。